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電子材料 に該当する転職・求人一覧

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勤務地 神奈川県横浜市港北区
業務内容 ■パワー半導体の組み立て工程開発、改善業務を担当いただきます。 ※海外工場の生産量UPに向けた取り組みを現地スタッフと連携して進めていただきます。 【同社の商材】 顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力...

研究開発部長候補/上場企業 
(~1,000万円)

ナノテクノロジー(ナノパーティクル)分野における世界最先端のテクノロジーを分析・調査・検討して頂きます。具体的には、大学機関や、独立行政法人、シリコンバレーベンチャーを中心に、外部パートナー探索・研究機関との…

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勤務地 愛知県稲沢市
業務内容 【主な業務】 HV、EV関連の企画・開発・設計・評価 エンジン系ゴム・樹脂製品、フューエルリッドの企画・開発・設計・評価 シャシー・ドライブトレーン、ボデー系ゴム・樹脂製品の企画・設計・評価・ 【業務詳細】 1:製品企画 製品・技術動...
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勤務地 京都府京都市右京区
業務内容 ■パワー半導体の組み立て工程開発、改善業務を担当いただきます。 ※海外工場の生産量UPに向けた取り組みを現地スタッフと連携して進めていただきます。 【同社の商材】 顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力...
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勤務地 京都府京都市右京区
業務内容 ■GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価 ■GaNデバイスの海外拡販 【GaNパワーデバイスとは】 GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のことです。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で...
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勤務地 愛知県岡崎市
業務内容 シチズンマシナリー製のNC旋盤を使用し、オペレート業務を行っていただきます。シャフトやバルブといった、数センチの自動車エンジン部品を製造します。鉄の棒をNC旋盤に入れて輪切りに切って削っていく作業です。 【★ミッション★】 長期的には...
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勤務地 京都府京都市右京区
業務内容 ■IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発エンジニア ■IGBT、Diodeの開発業務、Wafer Processインテグレーション技術構築業務となります。 【同社の商材】 顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・...
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勤務地 神奈川県横浜市港北区
業務内容 同社にて下記の開発を行って頂きます。 【具体的には】 ■IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発 ■IGBT、Diodeの開発業務、Wafer Processインテグレーション技術構築など 【同社の商材】 顧客のニーズに対応した高...
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勤務地 神奈川県横浜市港北区
業務内容 SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。 既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。 【具体的...
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勤務地 京都府京都市右京区
業務内容 SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。 既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。 【具体的...
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勤務地 静岡県富士市
業務内容 【募集背景】:「マイクローザ」は旭化成の中空糸膜モジュールです。国内外の幅広い分野(水処理、医薬・食品、エレクトロニクス、化学など)で液体の分離・濃縮・ろ過・除濁に使われ、対象物質や用途に合わせ、2種類の中空糸膜(UF:限外ろ過膜、MF...

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非公開求人の例

※公開できない求人のため、過去の求人を再編集して例としてご紹介しています。

ポジション名/募集企業 研究開発部長候補/上場企業
年収 ~1,000万円
職務概要 ナノテクノロジー(ナノパーティクル)分野における世界最先端のテクノロジーを分析・調査・検討して頂きます。具体的には、大学機関や、独立行政法人、シリコンバレーベンチャーを中心に、外部パートナー探索・研究機関との…
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